黄片无码高清-97色色资源-欧美黄片在线免费-欧美加勒比东京热-国产黄色网址大全-日日爽夜夜爽-大香蕉.com-毛片国产,操网东京热,日韩无码性爱毛片,一二三四一本道夫

WEP CVP21電化學C-V剖面濃度測量儀 德國WEP公司的CVP21電化學C-V剖面濃度測試儀可高效、準確的測量半導體材料（結構，層）中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制。 電化學ECV剖面濃度測試儀主要用于半導體材料的研究及開發(fā)，其原理是使用電化學電容-電壓法來測量半導體材料的摻雜濃度分布。電化學ECV（

開爾文探針（Kelvin Probe）是一種非接觸無損震蕩電容裝置，用于測量導體材料的功函數(shù)（Work Function）或半導體、絕緣表面的表面勢（Surface Potential）。材料表面的功函數(shù)通常由上層的1-3層原子或分子決定，所以開爾文探針是一種的表面分析技術。主要型號：KP020 （單點開爾文探針），SKP5050（掃描開爾文探針）。

光學薄膜測厚儀 薄膜表面或界面的反射光會與從基底的反射光相干涉，干涉的發(fā)生與膜厚及折光系數(shù)等有關，因此可通過計算得到薄膜的厚度。光干涉法是一種無損、且快速的光學薄膜厚度測量技術，我們的薄膜測量系統(tǒng)采用光干涉原